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[1]郑志霞,冯勇建,张春权等.ICP刻蚀技术研究[J].厦门大学学报(自然科学版),2004,43(S1):365-368.
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ICP刻蚀技术研究(PDF)
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《厦门大学学报(自然科学版)》[ISSN:0438-0479/CN:35-1070/N]

卷:
43卷
期数:
2004年S1期
页码:
365-368
栏目:
出版日期:
2004-12-20

文章信息/Info

Title:
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作者:
郑志霞冯勇建张春权等
莆田学院机电系;厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005
Author(s):
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关键词:
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Keywords:
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分类号:
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文献标志码:
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摘要:
介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,研究以SF6为刻蚀气体,不同的电极功率、气体流量、反应室压强、反应室温度、样片开槽宽度等工艺参数对Si和SiO2的刻蚀速率和选择比的影响.实验结果表明,提高RF1功率和SF6流量,可以提高刻蚀速率和选择比,提高RF2功率虽能提高刻蚀速率但降低选择比,反应室压强上升到1.2 Pa时,刻蚀速率达最大值,刻蚀温度为零度时,Si的刻蚀速率最大,开槽宽度对刻蚀速率影响不大.
Abstract:
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参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
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更新日期/Last Update: 2004-12-20